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華太Huatai
產(chǎn)品詳情
通信基站
華太RF LDMOS產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信基站、直放站行業(yè)領(lǐng)域，打破了國(guó)外公司功率管的壟斷地位，提升了我國(guó)通信領(lǐng)域核心產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力和產(chǎn)業(yè)鏈的完整性和安全性。 華太研發(fā)的GSM 900MHz 140W 產(chǎn)品、TDD-LTE 1880MHz-2025MHz 120W、700MHz-2700MHz 10W等產(chǎn)品已經(jīng)在國(guó)際一線通信設(shè)備公司量產(chǎn)，性能與國(guó)際同行相當(dāng)，實(shí)現(xiàn)了通信基站領(lǐng)域RF LDMOS的國(guó)產(chǎn)化突破。
AD9375數(shù)字預(yù)失真+華太（HTN7G21P160H）測(cè)試報(bào)告已發(fā)布在ADI官網(wǎng)，請(qǐng)點(diǎn)擊
| 通信基站-分立器件 | |||||||||
| Part Num. | Freq （MHz） | VDD (V) | P1dB (dBm) | Gain (dB) | Pavg (dBm) | Test Freq (MHz) | 目標(biāo)應(yīng)用 | Package | Process |
| HTA50P3 | 1800-5000 | 5 | 24 | 29 | 14 | 2600 | 寬帶驅(qū)動(dòng),5G微站，天線系統(tǒng) | QFN3×3 | GaAs |
| HTN8G38S004P | 700-3800 | 28 | 36 | 19 | 25 | 2600 | 便攜設(shè)備，5G微站 | DFN3×3 | LDMOS |
| HTN7G38S007P | 700-3800 | 28 | 38 | 14.2 | 28 | 3400 | 便攜設(shè)備，5G微站 | PDFN5×5 | LDMOS |
| HTN8G27S015P | 700-2700 | 28 | 41 | 20 | 30 | 2600 | 便攜設(shè)備，5G微站 | DFN5×5 | LDMOS |
| HTN8G36S015P | 3300-4200 | 28 | 41 | 17 | 30 | 3500 | 便攜設(shè)備，5G微站 | DFN5×5 | LDMOS |
| HTN8G27S010P | 700-2700 | 28 | 40 | 18 | 29 | 2140 | MDAS，直放站驅(qū)動(dòng) | PDFN6×5 | LDMOS |
| HTN8G27S020PG | 700-2700 | 28 | 44 | 19 | 34 | 2140 | MDAS，5G驅(qū)動(dòng) | TO270 | LDMOS |
| HTN7G21S040PG | 700-2100 | 28 | 46 | 16.1 | 36 | 1840 | 直放站28V/北斗12V | TO270 | LDMOS |
| HTN8G27P040P | 2500-2700 | 28 | 46 | 20 | 37 | 2600 | 64T MIMO，5G驅(qū)動(dòng) | DFN7.5×5 | LDMOS |
| HTN7G09S060P | 700~960 | 28 | 49 | 21.8 | 39 | 940 | GSM干放，專網(wǎng) | TO270 | LDMOS |
| HTN7G09S120P | 700~960 | 28 | 50 | 22.1 | 40.5 | 881 | 電子圍欄，直放站 | TO270 | LDMOS |
| HTH1D27P110H | 2500-2700 | 48 | 50.8(P5) | 16 | 41.4 | 2600 | 32T MIMO，驅(qū)動(dòng) | DFN7×6.5 | GaN |
| HTH1D36P120H | 3400-3600 | 48 | 51(P3) | 14 | 41.4 | 3500 | 32T MIMO，驅(qū)動(dòng) | DFN7×6.5 | GaN |
| HTH8G09P350H | 700-821 | 48 | 55.7(P3) | 22 | 47.3 | 778 | 30W/40W基站 | H2110S-4L | LDMOS |
| HTH9G09P550S | 700-960 | 48 | 57.4(P5) | 20 | 49.5 | 942 | 60W基站 | ACS2110S-4L | LDMOS |
| HTH1D27P550S | 2500-2700 | 48 | 57.2(P5) | 15 | 47.4 | 2600 | 30W/40W基站 | ACC2110S-4L | GaN |
| HTH1D36P450H | 3400-3600 | 48 | 56.2(P5) | 14 | 47.4 | 3500 | 30W/40W基站 | ACC2110S-4L | GaN |
| HTH1D09P700S | 758-960 | 48 | 58.6(P5) | 19 | 50.5 | 803 | 80W基站 | ACS2110S-4L | GaN |
| HTH1D22P360S | 1805-2170 | 48 | 56.1(P5) | 16 | 48 | 1840 | 40/60W基站 | H2110S-4L | LDMOS |
| HTN7G21P160H | 1805~2170 | 28 | 52 | 16.7 | 44.8 | 1960 | 電子圍欄，光纖直放站 | H2110S-6L | LDMOS |
| 5G小基站-MMIC | |||||||||
| Part Num. | Freq （MHz） | VDD (V) | Gain (min) dB | Pavg (dBm) | P-3(min) dBm | Eff(typical) | 目標(biāo)應(yīng)用 | Package | Process |
| H8G0708M06P | 728-821 | 28 | 19 | 28 | 37.3 | 45 | 寬帶驅(qū)動(dòng),5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G0810M06P | 869-960 | 28 | 19 | 28 | 37.3 | 45 | 寬帶驅(qū)動(dòng),5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G1819M10P | 1805-1880 | 28 | 27 | 31 | 40.5 | 43 | 寬帶驅(qū)動(dòng),5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G2022M10P | 2110-2170 | 28 | 27 | 31 | 40.5 | 43 | 寬帶驅(qū)動(dòng),5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G2324M10P | 2300-2400 | 28 | 27 | 31 | 40 | 41 | 寬帶驅(qū)動(dòng),5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G2527M10P | 2500-2700 | 28 | 27 | 31 | 40 | 39 | 寬帶驅(qū)動(dòng),5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G3336M12P | 3300-3600 | 28 | 33 | 32 | 41.5 | 33 | 寬帶驅(qū)動(dòng),5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H8G3540M12P | 3600-3800 | 28 | 33 | 32 | 41 | 32 | 寬帶驅(qū)動(dòng),5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H9G4750M12P | 4700-5000 | 28 | 30 | 32 | 41 | 28 | 寬帶驅(qū)動(dòng),5G小基站 | LGA7×7 | LDMOS |
| H9G1822M60P | 1805-2170 | 28 | 28.2 | 35 | 48 | 29 | 寬帶驅(qū)動(dòng)，mMIMO | OMP400-8 | LDMOS |
| H8G1822M100P | 1805-2170 | 28 | 26.2 | 38 | 49.7 | 25 | 寬帶驅(qū)動(dòng)，mMIMO | OMP780-16 | LDMOS |
| 移動(dòng)無(wú)線電 | |||||||||
| Part Num. | Min. Freq （MHz） | Max. Freq （MHz） | VDD (V) | Eff(typical) | Gain (dB) | Psat （W） | 目標(biāo)應(yīng)用 | Package | Process |
| HTU7G06S0P5P | 100 | 1000 | 3.6/7.2 | 70/73 | 10/14 | 0.7/1.5 | 0.5W機(jī)，5W/10W機(jī)推動(dòng) | SOT89 | LDMOS |
| HTU7G06S0P6P | 100 | 1000 | 3.6/7.2 | 67/67 | 10/14 | 0.7/1.5 | 2W/5W機(jī)推動(dòng) | SOT23 | LDMOS |
| HTU7G06S002P | 100 | 1000 | 3.6 | 61 | 14 | 2.6 | 2W機(jī) | SOT89 | LDMOS |
| HTU7G06S004P | 100 | 1000 | 3.6 | 60 | 12 | 4 | 3W機(jī) | PDFN3×3 | LDMOS |
| HTU7G06S005P | 100 | 1000 | 3.6 | 65 | 11 | 5 | 3W機(jī) | PDFN5×5 | LDMOS |
| HTL7G06S006P | 100 | 1000 | 7.2 | 61 | 13 | 6 | 5W機(jī) | SOT89 | LDMOS |
| HTU7G06S007P | 100 | 1000 | 3.6 | 65 | 10 | 7 | 單電池5W機(jī) | PDFN5×5 | LDMOS |
| HTL7G06S009P | 100 | 1000 | 7.2/8.4 | 60 | 12 | 8/9 | 7W模擬機(jī)，4W數(shù)字機(jī) | SOT89 | LDMOS |
| HTL7G06S011P | 100 | 1000 | 3.6/7.2 | 60/60 | 10/12 | 5/11 | 單電池3W/雙電池10W機(jī) | PDFN5×5 | LDMOS |
| HTM7G06S035P | 100 | 1000 | 12.5/24 | 61 | 15/20 | 38/100 | 車臺(tái)，軍工電臺(tái)，應(yīng)急廣播 | TO-270 | LDMOS |
| ISM&工業(yè)醫(yī)療 | |||||||||
| 產(chǎn)品型號(hào) | 工作頻率 (MHz) | 工作電壓 (V) | Psat （W） | DE （%） | Gain (dB) | Test Freq (MHz) | 目標(biāo)應(yīng)用 | Package | Process |
| HT647P | 600-1600 | 28 | 200 | 59 | 19.7 | CW@1350 | 寬帶專網(wǎng)，軍用 | ACC2110S-4L | LDMOS |
| HT647PL | 30-512 | 28 | 200 | 67.9 | 23.3 | CW@450 | 寬帶專網(wǎng)，軍用 | ACC2110S-4L | LDMOS |
| HTH7G14S150H(B) | 1.8-1400 | 50 | 158 | 56 | 21.5 | Pulse@860 | 廣播，直放站 | H0906 | LDMOS |
| HTH7G06P300H(B) | 1.8-600 | 50 | 430 | 64 | 20.8 | Pulse@435 | 廣播，雷達(dá)，通信 | ACC2110S-4L | LDMOS |
| HTH8G07P400H(B) | 100-700 | 50 | 400 | 60 | 20 | Pulse@600 | 寬帶專網(wǎng)，廣播，雷達(dá) | ACC2110S-4L | LDMOS |
| HTH7G14S030H(B) | 1.8-1400 | 50 | 30 | 61 | 18 | Pulse@1200 | 寬帶專網(wǎng)，廣播，雷達(dá) | H0906 | LDMOS |
| HTH7G06P500H(B) | 1.8-600 | 50 | 550 | 60 | 24.6 | Pulse@435 | 廣播，雷達(dá)，通信 | ACC2110S-4L | LDMOS |
| HTH8G07P600H(B) | 470-700 | 50 | 600 | 63 | 22 | Pulse@600 | 工業(yè)，醫(yī)療，雷達(dá) | ACC2110S-4L | LDMOS |
| HTH8G07P1K0H(B) | 470-700 | 50 | 1000 | 60 | 16.5 | Pulse@600 | DVB-T，廣播 | ACC3210S-4L | LDMOS |
| HTH8G07P1K4H(B) | 1.8-200 | 50 | 1400 | 70 | 27 | CW@60 | DVB-T，廣播 | ACC3210S-4L | LDMOS |
| HTH8G02P350H(B) | 1.8-200 | 50 | 350 | 70 | 25 | CW@160 | 寬帶專網(wǎng)，廣播 | ACS2110B-4L | LDMOS |
| HTH8G02P550H(B) | 1.8-200 | 50 | 550 | 70 | 25 | Pulse@100 | 寬帶專網(wǎng)，廣播，工業(yè)醫(yī)療 | ACS2110B-4L | LDMOS |
| 射頻能量 | |||||||||
| 產(chǎn)品型號(hào) | 工作頻率 (MHz) | 工作電壓 (V) | P-1dB （W） | DE （%） | Gain (dB) | Test Freq (MHz) | 目標(biāo)應(yīng)用 | Package | Process |
| HT20340S | 10-200 | 50 | 400 | 72 | 25 | CW@ 40 | 射頻能量，工業(yè) | TO247 | LDMOS |
| HTH9G09P700H(B) | 600-950 | 40 | 700 | 68 | 18 | Pulse@800 | 射頻能量，工業(yè) | ACC3210S-4L | LDMOS |
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